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上海技物所低維材料紅外探測器件的非對稱光耦合研究獲進展

2020-09-15 上海技術物理研究所
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  近日,中國科學院上海技術物理研究所研究員周靖、陳效雙和陸衛團隊提出了等離激元納米諧振腔非對稱集成的石墨烯紅外探測器件,揭示了該復合結構器件高對比度非對稱光耦合的原理,驗證了基于非對稱光耦合突破金屬-低維材料-金屬探測結構的兩大瓶頸問題,實現了泛光照射下顯著的自驅動光響應,超越常規的等離激元耦合光柵1個量級。相關結果發表于《碳》(Carbon 170, 49 (2020))雜志。

  低維材料(如二維材料、納米線等)憑借不同尋常的優異光電特性引起了廣泛研究,有望成為高性能探測器件的光敏材料。最常見的低維材料光電探測器件結構就是金屬-低維材料-金屬的結構。在低功耗、低暗電流的零偏壓工作模式下,器件的光響應主要來源于低維材料與金屬電極交界處的類肖特基結。當入射光局域地照射在低維材料與金屬電極的交界處時,光伏、光熱電等物理機制會誘導出宏觀的光電流。金屬-低維材料-金屬的器件結構簡單,不影響材料本身的優異特性,而且便于和不同的系統集成。但這種器件有兩個主要瓶頸問題:一是在均勻的泛光照射下低維材料與兩端金屬的接觸結產生大小相近、方向相反的光電流;兩者互相抵消,使器件沒有凈的光響應。采用異種金屬電極是一般的解決方案,但是制備異種金屬電極通常需要額外的工藝步驟,增加了制備復雜性,以及低維材料被污染、損壞的可能性。二是二維材料、納米線等低維材料尺度與光波長有較大差距,嚴重制約了光吸收效率,特別是低維材料與金屬接觸結的光吸收。利用微納光子結構產生與低維探測材料交疊的亞波長局域強光場,從而提高低維材料與光的相互作用是一個有效的增強光吸收的途徑,相關研究吸引了國際關注。那么,是否能夠利用微納光子結構誘導金屬-低維材料-金屬結構中非對稱的光耦合,增強一端光敏材料-金屬接觸結的光吸收,并抑制另一端光敏材料-金屬接觸結的光吸收,同時解決金屬-低維材料-金屬器件的兩大瓶頸問題而且不影響低維材料原有的光電特性,就具有重要研究意義。

  為解決這一難題,上海技物所紅外物理國家重點實驗室周靖、陳效雙和陸衛團隊提出了等離激元納米諧振腔非對稱集成的金屬-低維材料-金屬器件,并對其紅外光響應進行了研究。以最常見的石墨烯為例,研究組把等離激元納米諧振腔與金屬-石墨烯-金屬的光探測結構進行非對稱集成,實現兩端石墨烯-電極交界處光響應105倍的差距(圖1(b,c)),以及泛光照射下器件整體的顯著凈響應。該復合結構比一般等離激元耦合光柵對于石墨烯光響應的提升高出1個量級(圖1(d,e))。此外,光響應譜能夠通過結構參數自由調控(圖1(a,b));響應時間小于幾個微秒(圖1(c,d));等離激元納米諧振腔的一部分同時作為柵極能夠對石墨烯的光響應進行有效調控。

  該研究提出了同時解決金屬-低維材料-金屬器件的零偏壓工作模式兩大瓶頸問題的新方法,有望推動低維材料光探測的發展。博士生郭尚坤為第一作者,周靖和陳效雙為通訊作者。該研究工作得到了國家重點研發計劃、國家自然科學基金項目、中科院相關項目以及上海市科委計劃項目的支持。

  1.a)等離激元納米諧振腔非對稱集成的石墨烯紅外探測器件示意圖。(b)空間可分辨的光電測試示意圖。(c)有光學天線集成的電極以及無光學天線的電極附近自驅動光響的波形圖。(de)泛光照射下等離激元納米諧振腔非對稱集成的石墨烯紅外探測器以及等離激元耦合光柵非對稱集成的石墨烯紅外探測器的示意圖,以及兩個器件的紅外光響應率譜。

  2. a)不同線寬的光學天線陣列的SEM照片。(b)由不同線寬的光學天線構成的等離激元納米諧振腔誘導的石墨烯紅外光響應譜。(c10 kHz調制下1.55微米入射光激發的光響應波形。(d30 kHz調制下1.55微米入射光激發的光響應波形。

打印 責任編輯:任霄鵬

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